据EEPW报道，英飞凌推出其最新先进功率MOSFET技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款产品非常适合即将推出的48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。

与上一代相比，IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上，最高不超过1.3 mΩ，达到目前业内的领先水平，并以5 x 6 mm²封装实现了更小的传导损耗、超强的开关性能和更高的功率密度等优点。

来源：EEPW

编辑：牛小喀